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部品番号(s) : GT20J341 20J341
Toshiba
コンポーネント説明 : Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
部品番号(s) : SG50N06S SG50N06DS
Sirectifier Global Corp.
コンポーネント説明 : Discrete IGBTs
部品番号(s) : GT30J341 30J341
Toshiba
コンポーネント説明 : Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
部品番号(s) : SG50N06D2S SG50N06D3S
Sirectifier Electronics
コンポーネント説明 : Discrete IGBTs
部品番号(s) : SG50N06S SG50N06DS
Sirectifier Electronics
コンポーネント説明 : Discrete IGBTs
部品番号(s) : SG50N06T SG50N06DT
Sirectifier Electronics
コンポーネント説明 : Discrete IGBTs
部品番号(s) : 40QR21 GT40QR21
Toshiba
コンポーネント説明 : 40QR21 / Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
部品番号(s) : SG50N06T SG50N06DT
Unspecified
コンポーネント説明 : Discrete IGBTs
部品番号(s) : SG50N06D2S SG50N06D3S
Sirectifier Global Corp.
コンポーネント説明 : Discrete IGBTs
部品番号(s) : SG50N06T SG50N06DT
Sirectifier Global Corp.
コンポーネント説明 : Discrete IGBTs
部品番号(s) : SG50N06D2S SG50N06D3S
Unspecified
コンポーネント説明 : Discrete IGBTs
部品番号(s) : H12N65 H12N65E H12N65F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
コンポーネント説明 : N-Channel Power MOSFET (650V,12A)
部品番号(s) : 30F121 GT30F121
Toshiba
コンポーネント説明 : Insulated Gate Bipolar Transistor
部品番号(s) : H12N60 H12N60F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
コンポーネント説明 : N-Channel Power MOSFET (600V,12A)
部品番号(s) : IRG4PC30UD
International Rectifier
コンポーネント説明 : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
部品番号(s) : IRG4PC40FD
International Rectifier
コンポーネント説明 : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
部品番号(s) : IRG4PC30FD
International Rectifier
コンポーネント説明 : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE